英特尔率先启动采用ASML High NA EUV技术的芯片量产

英特尔成为全球首家量产采用ASML High NA EUV光刻技术逻辑芯片的公司。该技术应用于Intel Core Ultra Series 3（Panther Lake）处理器的部分关键层，采用Intel 18A工艺制造。ASML官方确认了这一消息，并指出新设备的芯片良率与现有EUV系统相当。

High NA EUV是下一代光刻系统，能够在硅晶圆上刻印更微小、更复杂的电路。与传统EUV扫描仪（数值孔径0.33）相比，新技术采用0.55的数值孔径，显著提升了分辨率和精度。这对于半导体技术的进一步微缩至关重要，尤其在人工智能计算需求不断增长的背景下。

英特尔并未在Panther Lake芯片的所有层中采用High NA EUV技术，仅用于对精度要求最高的部分层。处理器的其他部分仍采用传统光刻方法制造。这种策略使英特尔能够逐步集成新技术，保持生产灵活性并优化良率。未来，High NA EUV计划应用于更多层，包括Intel 14A工艺。

ASML首席执行官克里斯托夫·富克斯表示，High NA EUV的应用为制造更高密度、更高性能的芯片开辟了新可能。该技术将减少对多重曝光工艺的依赖，简化生产流程并提升最终产品质量。这对于下一代处理器的开发尤为重要，因其对晶体管密度和能效的要求不断提高。