中国发展芯片光刻与光学技术，三星发布新一代存储技术

中国正加速推进自主光刻机研发，以满足现代芯片制造需求。到2030年，中国计划推出深紫外（DUV）浸没式光刻机，实现7nm芯片量产。然而，极紫外（EUV）光刻机的研发难度更大，需构建复杂供应链并培养数千名专业人才。目前中国仍依赖荷兰ASML公司设备，但出口管制迫使其寻找替代方案。

与此同时，co-packaged optics（CPO）技术成为行业焦点。该技术将光学模块直接集成在处理器或ASIC附近，缩短电信号传输距离，显著提升数据传输速度并降低能耗——这对现代数据中心至关重要。TSMC、Intel和三星等厂商已公布CPO部署路线图，其中TSMC计划在2030年前实现400Gbps传输速度。

三星发布了三项存储新技术，有望重塑市场格局。zHBM性能较HBM5提升8倍，尤其适合AI加速器应用；zNAND-O支持在逻辑芯片上集成最多8层NAND存储；BV-NAND作为第10代V-NAND，已接近商业化。这些创新旨在提升高性能计算与数据存储领域的效率，降低成本。