中国DRAM制造商涉嫌使用三星窃取技术

中国长鑫存储科技（CXMT）——中国最大的动态随机存取存储器（DRAM）制造商，被指控使用窃取的三星技术加速其生产能力。这一消息源于韩国法庭审理的一起案件，一名前三星工程师（在公司任职28年）因传输机密数据被判有罪。

据法庭文件显示，CXMT管理层最初并未计划从零开始研发技术，而是试图从竞争对手处获取现成解决方案。该前三星员工向中国公司提供了详细的600步生产流程计划（PRP），包括18纳米工艺数据。这些信息使CXMT得以绕过多年的研发，加速实现量产。

尽管泄露的数据未包含完整的晶体管架构或物理设计细节，但显著缩短了研发周期。通常，DRAM制造商需耗费3至5年才能推出新工艺节点。而CXMT却在2019年启动22纳米DDR4内存量产，并于2023年转向18纳米工艺。

该工程师被判处七年有期徒刑。CXMT对窃取技术的依赖程度仍在调查中，但法院判决已确认其非法传输机密信息的事实。