台积电A14工艺突破：性能达目标90%，良率大幅提升

台积电近期证实其1.4纳米A14工艺取得重大进展，相比前代技术展现出更快的开发速度。据公司首席执行官魏哲家介绍，内部测试样品已实现近90%的目标晶体管性能，以及256兆比特SRAM芯片的同等良率水平。而在三个月前，这些指标分别仅为85%与80%，显示技术快速迭代。

相比之下，N2（2纳米）工艺在相近阶段的表现较为逊色：2023年4月，其晶体管性能超过80%，SRAM良率仅略高于50%；至2024年4月，性能与良率分别提升至90%与80%。A14的快速发展得益于台积电在第二代环绕栅极全环（GAA）晶体管技术上的经验积累，该技术首次应用于N2工艺。

A14工艺预计在多个关键指标上超越N2：在相同能耗下性能提升10-15%，或在相同频率下降低能耗25-30%，同时晶体管密度预计提升20-23%。这些优势对AI与高性能计算芯片尤为关键。尽管未采用Super Power Rail技术，但A14已引起智能手机处理器与AI/HPC解决方案厂商的广泛关注。

魏哲家表示，客户正积极推进A14工艺的设计工作，并力争提前完成。若客户设计准备就绪且良率稳定，台积电有望在2028年下半年量产计划前启动A14工艺的大规模生产。