IBM представила чипы с наностекингом: прорыв для продления закона Мура

Компания IBM представила прорывную архитектуру чипов, основанную на технологии вертикального стекинга транзисторов. По словам директора IBM Research Джея Гамбетты, это не просто эволюционное улучшение, а качественный скачок, который может продлить действие закона Мура на десятилетие. Ожидается, что новые чипы найдут широкое применение в дата-центрах, где их повышенная энергоэффективность поможет снизить эксплуатационные затраты.

Новая архитектура, получившая название CFET (complementary field-effect transistor), предполагает послойное создание транзисторов с последующим вертикальным соединением. В отличие от традиционных методов, где слои соединяются после изготовления, IBM использует уникальный подход с «шахматным» расположением транзисторов в разных слоях. Это упрощает электрические соединения и повышает точность совмещения элементов, что критически важно для современных нанометровых технологий.

По данным IBM, чипы с новой архитектурой способны выполнять на 50% больше операций за то же время и потреблять до 70% меньше энергии. Компания планирует сотрудничать с ведущими производителями полупроводников, включая Intel, Samsung и TSMC, для внедрения технологии в массовое производство. Эксперты отмечают, что CFET может стать стандартом для процессоров, графических ускорителей и других типов микросхем, используемых в AI и облачных вычислениях.

Среди конкурентов, работающих над аналогичными решениями, — AMD с технологией 3D V-Cache и Huawei с проектом LogicFolding. Однако подход IBM выделяется более высокой точностью совмещения слоёв, что обеспечивает лучшие характеристики при меньших размерах транзисторов. Аналитики прогнозируют, что новая архитектура может стать ключевым фактором в развитии высокопроизводительных вычислительных систем в ближайшие годы.