TSMC подтвердила прорыв в технологии A14: выход на 90% производительности и выхода годных

TSMC подтвердила значительный прогресс в разработке своего 1.4-нанометрового техпроцесса A14, который демонстрирует более быстрые темпы развития по сравнению с предыдущими поколениями. По словам генерального директора компании C.C. Wei, внутренние тестовые образцы достигли почти 90% целевой производительности транзисторов и аналогичного уровня выхода годных для 256-мегабитных SRAM-чипов. Всего три месяца назад эти показатели составляли 85% и 80% соответственно, что свидетельствует о стремительном улучшении технологии.

Для сравнения, техпроцесс N2 (2 нм) на аналогичном этапе развития показывал более скромные результаты: в апреле 2023 года производительность транзисторов превышала 80%, а выход годных SRAM составлял чуть более 50%. К апрелю 2024 года эти показатели выросли до 90% и 80% соответственно. Быстрый прогресс A14 объясняется накопленным опытом TSMC в работе с транзисторами второго поколения Gate-All-Around (GAA), которые впервые были использованы в N2.

A14 обещает значительные улучшения по сравнению с N2: прирост производительности на 10-15% при том же энергопотреблении или снижение потребления энергии на 25-30% при сохранении частоты. Кроме того, ожидается увеличение плотности транзисторов на 20-23%, что особенно важно для чипов, используемых в решениях для искусственного интеллекта и высокопроизводительных вычислений. Несмотря на отсутствие технологии Super Power Rail, интерес к A14 проявляют как производители мобильных процессоров, так и разработчики AI/HPC-решений.

По словам C.C. Wei, клиенты активно работают над дизайнами для A14 и стремятся завершить их раньше запланированных сроков. Это может позволить TSMC начать массовое производство технологии раньше второй половины 2028 года, если будет обеспечен высокий уровень выхода годных и готовность клиентских проектов.