ZEISS Crossbeam 750: революция в анализе полупроводников с помощью FIB-SEM

Компания ZEISS представила новое решение для анализа полупроводниковых структур — систему Crossbeam 750. Этот инструмент предназначен для подготовки сверхтонких образцов (TEM-ламелл), томографии и нанофабрикации, включая подготовку образцов для атомно-зондовой томографии (APT). В основе системы лежит обновленная электронно-оптическая колонна Gemini 4, двойной дефлектор и современный генератор сканирования, что обеспечивает повышенное качество изображений и уверенность в результатах.

Одним из ключевых преимуществ Crossbeam 750 является режим High Dynamic Range (HDR) Mill + SEM. Эта технология объединяет сканирование SEM и FIB, подавляя фоновые шумы, создаваемые ионным пучком. В результате специалисты получают чистую визуальную обратную связь в реальном времени, даже при корректировке параметров фрезеровки. Это позволяет точнее определять момент завершения процесса, минимизировать повреждения образца и сокращать количество доработок.

Система также отличается улучшенными характеристиками при работе на низких ускоряющих напряжениях (low-kV), что критически важно для подготовки TEM-ламелл. Повышенное разрешение и соотношение сигнал/шум обеспечивают более детальные изображения при сокращении времени съемки. Это ускоряет переход от подготовки образца к анализу, что особенно ценно для команд, занимающихся анализом отказов, контролем выхода годных и материаловедением.

Crossbeam 750 позволяет принимать обоснованные решения на ранних этапах фрезеровки, сокращая время выполнения задач и повышая предсказуемость рабочих процессов. Инструмент уже доступен для специалистов, стремящихся к повышению эффективности и точности в работе с наноструктурами.