硬件中国发展芯片光刻与光学技术,三星发布新一代存储技术
本周,中国在芯片制造领域的技术布局引发广泛关注。中国计划到2030年自主研发深紫外(DUV)浸没式光刻机,实现7nm芯片量产,并正在攻克极紫外(EUV)光刻机的技术难关。同时,co-packaged optics(CPO)技术成为行业热点,该技术通过将光学模块直接集成在处理器或ASIC附近,显著提升数据传输速度并降低能耗,已获TSMC、Intel等厂商采用。此外,三星发布了三项存储新技术,其中zHBM性能较HBM5提升8倍,zNAND-O支持在逻辑芯片上集成8层NAND,BV-NAND则是第10代V-NAND的商业化前夕产品。
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